微触发单向可控硅C106D1

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特点:
1.主要用于漏电子保护器及其他电子设备的保护及控制电路.
2.采用 N 型 NTD 硅单晶片,表面玻璃钝化平面工艺制作.
3.断态峰值电压高,低的 VTM及离散性小的 IGT.。

*大额定值(Ta=25℃)
断态重复峰值电压  VDRM     500V
通态平均电流 IT（*）       2A
通态（不重复）浪涌电流 ITSM    20A
控制*平均功率 PC（*）        0.2W
贮存温度 T-40~110℃