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品牌

Hitachi/日立

型号

K1296 TO-220

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-INM/*组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GE-P-FET锗P沟道

开启电压

5V（V）

夹断电压

5V（V）

跨导

5V（μS）

*间电容

300（pF）

低频噪声系数

300（dB）

漏*电流

250（mA）

耗散功率

100（mW）

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