拆机场效应管IXTH75N15,75N15

地区:广东 汕头
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王小芸

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品牌/商标 IXY美国电报半导体 型号/规格 IXTH75N15,IXFH80N10Q,IXFH80N10
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 150(V) 夹断电压 150(V)
低频跨导 1(μS) *间电容 1(pF)
低频噪声系数 1(dB) *大漏*电流 1(mA)
*大耗散功率 1(mW)


IXFH80N10,80N10
IXFH80N10,80N10

IXFH80N10,80N10

IXFH80N10,80N10

品牌

IXY美国电报半导体

型号

IXTH75N15,IXFH80N10Q,IXFH80N10