场效应三*管 2SK2158

地区:广东 深圳
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N-MOSFET    2SK2158

 

 

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品牌

NEC/日本电气

型号

2SK2158

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

CHIP/小型片状

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

20(V)

夹断电压

--(V)

跨导

--(μS)

*间电容

--(pF)

低频噪声系数

--(dB)

漏*电流

100(mA)

耗散功率

1/2(mW)