产品详情

NPN硅低频大功率晶体管3DD4

地区：陕西 西安
认证： 无

陕西电子大楼佰特电子经营部

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特点:产品采用三重扩散工艺,*烧毁能力强,二次击穿耐量高,温度稳定性好,*热疲劳能力强.

应用范围:低速开关,低频功率放大,电源调整.

使用范围:-55-175℃

质量等级: 国军标 JP JT J*级,GS G G 级

执行标准 : G*33-85   QZJ840611  QZJ840611A

 

品牌/商标

国产

型号/规格

3DD4

应用范围

放大

功率特性

小功率

频率特性

低频

*性

NPN型

结构

面接触型

材料

硅(Si)

封装形式

直插型

封装材料

金属封装

集电*允许电流ICM

1.5（A）

集电*耗散功率PCM

10（W）

营销方式

*

产品性质

*