销售士兰微MOSFET场效应管SVF4N60D/F/T/M

描述：

　　4A、600V N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管SVF4N60D/F/T/M采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。*的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、*的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
　　该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

封装形式：

TO-251-3L；TO-251D-3L；TO-252-2L；TO-220-3L；TO-220F-3L

特点：

∗ 4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0Ω@VGS=10V
∗ 低栅*电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ *了dv/dt 能力

主要*限参数(除非*说明，TC=25°C)：

漏源电压VDS：600V

栅源电压VGS：&plu*n;30V

漏*电流ID(TC=25°C/100°C)：4.0A/2.5A

漏*脉冲电流IDM：16A

详细参数资料请致电我司索取！

封装外形

SP/*外形

型号/规格

SVF4N60D/F/T/M

材料

N-FET硅N沟道

用途

TR/激励、驱动

品牌/商标

SL士兰微电子

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型