电子元器件一系列IR场效应MOSFET晶体管

制造商编号：IRF7404TRPBF

制造商：International

描述：MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC

基本参数：

系列：HEXFET? 

FET型：MOSFET P通道，金属氧化物 

FET特点：逻辑电平门 

开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25°C：40毫欧@ 3.2A, 4.5V 

漏*至源*电压(Vdss)：20V 

电流-连续漏*(Id) @ 25°C：6.7A 

Id时的Vgs(th)（*大）：700mV @ 250μA 

闸电荷(Qg) @ Vgs：50nC @ 4.5V 

在Vds时的输入电容(Ciss)：1500pF @ 15V 

功率-*大：2.5W 

安装类型：表面贴装 

封装/外壳：8-SOIC（0.154", 3.90mm宽） 

包装：剪切带(*)