品牌：vishay
封装：SOT-23
SI2301特点:
晶体管类型：P沟道MOSFET
*大功耗PD：1.25W
栅*门限电压VGS：2.5V（典型值）
漏源电压VDS：－20V（*限值）
漏*电流ID：－2.3A
通态电阻RDS(on）：0.145ohm（典型值）
栅*漏电流IGSS：&plu*n;100nA
结温:-55℃to+150℃
封装：SOT-23(TO-236)
替代型号：NCE2301 RTM2301 ACE2301 CMT2301 STS2301
SI2301主要应用于数码摄像机领域
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