9926 N-MOS管

地区:广东 深圳
认证:

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简介:
DP9926 是双路增强型的N 沟道
MOSFET。连续电流可达7A. 耐压可达
20V。据有低漏电流,低导通电阻等
特点。
DP9926 典型导通内阻为20mR @
4.5v。为小型SOP8 封装,内部两管
的D 级未连在一起,为**之
MOSFET客户可随意应用。

特征:
Ø GS 间电压:&plu*n;12V
Ø GS 间漏电流:<100nA
Ø 低导通电阻:4.5v 时典型19mR,
    2.5v 时典型25mR
Ø DS 间耐压:20V
Ø DS 间漏电流:<1uA
Ø 控制启动电压:典型0.7v
Ø DS 连续电流:可达7A
Ø 内部二级管压降:<1.2V

应用:
Ø DC-DC 转换器
Ø 锂电池保护板
Ø MP3,MP4,GPS
Ø 移动电源

依托*十大封装厂之一的“富士通”,我们为您造就*对优质的产品。

售后服务:公司有*的工程师为您解决产品应用中遇到的问题,包括产品质量问题、设计应用等。如果我们的产品在测试或上机过程中出现不良或不良偏高,同批次未上机产品我们将无条件为您换货。

 

包装:采用**静电包装。

 

欢迎来我公司实地考察,“德普微电子”期待您的到来!

联系:

饱和漏*电流

6

材料

IGBT*缘栅比*

种类

*缘栅(MOSFET)

营销方式

*

封装形式

SOP8

型号/规格

9926

封装外形

CHIP/小型片状

品牌/商标

德普

用途

DC/直流

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型