9926 N-MOS管

简介:
DP9926 是双路增强型的N 沟道
MOSFET。连续电流可达7A. 耐压可达
20V。据有低漏电流，低导通电阻等
特点。
DP9926 典型导通内阻为20mR @
4.5v。为小型SOP8 封装，内部两管
的D 级未连在一起，为**之
MOSFET客户可随意应用。

特征:
Ø GS 间电压：&plu*n;12V
Ø GS 间漏电流：<100nA
Ø 低导通电阻：4.5v 时典型19mR,
    2.5v 时典型25mR
Ø DS 间耐压：20V
Ø DS 间漏电流：<1uA
Ø 控制启动电压：典型0.7v
Ø DS 连续电流：可达7A
Ø 内部二级管压降：<1.2V

应用:
Ø DC-DC 转换器
Ø 锂电池保护板
Ø MP3,MP4,GPS
Ø 移动电源

依托*十大封装厂之一的“富士通”，我们为您造就*对优质的产品。

售后服务：公司有*的工程师为您解决产品应用中遇到的问题，包括产品质量问题、设计应用等。如果我们的产品在测试或上机过程中出现不良或不良偏高，同批次未上机产品我们将无条件为您换货。

包装：采用**静电包装。

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