场效应管 NTD20N03L27 20N3L

地区:广东 深圳
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产品型号:NTD20N03L27

封装:SOT-252/DPAK

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V): 20/-20

最大漏极电流Id(A):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.027 @VGS = 5V

开启电压VGS(TH)(V):2

功率PD(W):74

极间电容Ciss(PF):1005

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):21

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):288

温度(℃): -55 ~150

描述:30V,20A  N-Channel MOSFET

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漏极电流

20A

封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

NTD20N03L27,MOS,30V,20A,0.031Ω,252

材料

N-FET硅N沟道

品牌/商标

ON/安森美

沟道类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

种类

绝缘栅(MOSFET)

夹断电压

20

导电方式

增强型

极间电容

1260