场效应管 NTD20N03L27 20N3L
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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产品型号:NTD20N03L27
封装:SOT-252/DPAK
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V): 20/-20
最大漏极电流Id(A):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.027 @VGS = 5V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):74
极间电容Ciss(PF):1005
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):21
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):288
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,20A N-Channel MOSFET
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3、:4006262666
4、Q
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20A
SMD(SO)/表面封装
NTD20N03L27,MOS,30V,20A,0.031Ω,252
N-FET硅N沟道
ON/安森美
MOSFET N 通道,金属氧化物
绝缘栅(MOSFET)
20
增强型
1260