场效应管 2SJ654,J654

2SJ654,SANYO,TO-220F,DIP/MOS,P场,-100V,-8A,0.315Ω

2SJ650,TO-220F,DIP/MOS,P场,-60V,-12A,0.135Ω
2SJ654,TO-220F,DIP/MOS,P场,-100V,-8A,0.315Ω
2SJ655,TO-220F,DIP/MOS,P场,-100V,-12A,0.136Ω
2SJ656,TO-220F,DIP/MOS,P场,-100V,-18A,0.0755Ω

产品型号:2SJ654

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-100

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):-8

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.315 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):-2.6

功率PD(W):20

输入电容Ciss(PF):945 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s)：6

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ.

上升时间Tr(ns):65 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):80 typ.

下降时间Tf(ns):38 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:2SJ654,-100V,-8A P-沟道增强型场效应晶体管

特点
 * 低导通电阻。
 * 超高速开关。
 * 4V驱动器。

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