BSC035N04LS G,BSC035N04

地区:广东 深圳
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MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源
infineon MOSFET场效应管系列:
直插(TO-220) N沟道场效应管:
IPP03N03LBG      80A        25V
IPP05N03LBG      80A        30V
IPP055N03LG       50A        30V
IPP070N06LG       80A        60V
IPP080N03LG       50A        30V
IPP147N03LG       20A        30V
SPP80N03S2L       80A       30V
SPP80N03S2         80A       30V
IPP023N04NG       90A       40V
023N04N                90A       40V
IPP048N06LG       100A      60V
048N06L                100A      60V
IPP16CN10LG       100A       54V
贴片(P-TDSON-8) N沟道场效应管:
BSC019N04NSG,BSC020N03MSG,BSC024N025SG
BSC025N03MSG,BSC026N02KSG,BSC029N025SG
BSC030N03LSG,BSC030N03MSG,BSC030N04NSG
BSC035N04LSG,BSC048N025SG,BSC050N03LSG
BSC050N03MSG,BSC054N04NSG,BSC059N04LSG
BSC080N03LSG,BSC080N03MSG,BSC090N03LSG
BSC090N03MSG,BSC100N03LSG,BSC150N03LDG
BSC750N10NDG,BSO052N03S,BSZ040N04LSG
BSZ058N03LSG,BSZ058N03MSG,BSZ088N03LSG
BSZ097N04LSG,BSZ100N03MSG,BSZ165N04NSG

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品牌/商标

INFINEON/英飞凌

型号/规格

035N04LS infineon 08NPB P-TDSON-8 N场

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

1.2-2(V)

夹断电压

20(V)

跨导

120S(μS)

极间电容

5100(pF)

漏极电流

100A(mA)

耗散功率

69W(mW)