场效应管 TJ9A10M3,TJ11A10M3

产品型号:TJ9A10M3,TO-220F,DIP/MOS,P场,-100V,-3A,0.17Ω
MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)
1。应用
 * 开关稳压器
2。特点
（1）低漏源导通电阻: RDS(ON) = 120 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)
（2）低漏电流: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -100 V)
（3）增强模式: Vth = -2.0 to -4.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

封装:TO-220F

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-100

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):-9

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.17 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):-4

功率PD(W):19

输入电容Ciss(PF):2900 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s)：24

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):25

导通延迟时间Td(on)(ns):27 typ.

上升时间Tr(ns):12 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):195 typ.

下降时间Tf(ns):32 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:TJ9A10M3,-100V,-3A,0.17Ω P-沟道增强型场效应晶体管

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