供应MOS TK10A60D,K10A60D
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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产品型号:TK6A60D
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):6
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.25 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):40
极间电容Ciss(PF):800
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):3
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):173
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,6A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ)
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10A
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