场效应管 SPA21N50C3 21N50C3 SPA21N50

地区:广东 深圳
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产品型号:SPA21N50C3

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V): 30/-30

最大漏极电流Id(A):21

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.19 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3.9

功率PD(W):34.5

极间电容Ciss(PF):2400

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):18

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):690

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,21A  N-Channel Cool MOS™  Power Transistor


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漏极电流

21A

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

型号/规格

SPA21N50C3,MOS,500V,21A,0.19Ω,220F

材料

N-FET硅N沟道

品牌/商标

INFINEON/英飞凌

沟道类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

种类

绝缘栅(MOSFET)

夹断电压

30

导电方式

增强型

极间电容

2400