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产品属性
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产品型号:SPA21N50C3
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V): 30/-30
最大漏极电流Id(A):21
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.19 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3.9
功率PD(W):34.5
极间电容Ciss(PF):2400
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):18
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):690
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,21A N-Channel Cool MOS™ Power Transistor
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3、:4006262666
4、Q
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21A
P-DIT/塑料双列直插
SPA21N50C3,MOS,500V,21A,0.19Ω,220F
N-FET硅N沟道
INFINEON/英飞凌
MOSFET N 通道,金属氧化物
绝缘栅(MOSFET)
30
增强型
2400