场效应管 SSM3K15CT,SB

SSM3K15CT,TOSHIBA,SOT-883,SMD/MOS,N场,30V,0.1A,4Ω，带二极静电保护

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

应用:
 * 高速开关应用
 * 模拟开关应用

特点：
 * 最适用于高密度安装在小包装
 * 低导通电阻：Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = 4 V)
             ：Ron = 7.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V)

产品型号:SSM3K15CT

封装:SOT-883

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):0.1

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):4 @VGS = 4 V

开启电压VGS(TH)(V):1.5

功率PD(W):0.1

输入电容Ciss(PF):7.8 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：25

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):180 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM3K15CT,30V,0.1A N-沟道增强型场效应晶体管

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