场效应管 IPG20N06S2L-50,2N06L50

产品型号:IPG20N06S2L-50

封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):55

夹断电压VGS(V):±20

雪崩能量EAS(mJ):60

最大漏极电流Id(A):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.05 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2

功率PD(W):51

极间电容Ciss(PF):430

通道极性:双N

低频跨导gFS(s)：

温度(℃): -55 ~175

描述:55V,20A.  Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode  OptiMOS Power-Transistor

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