场效应管 QM6015B,M6015B,QM6015

产品型号:QM6015B

封装:SOT-263

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):-45

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):-2.5

功率PD(W):86.8

输入电容Ciss(PF):3635 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s)：23

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):162

导通延迟时间Td(on)(ns):38 typ.

上升时间Tr(ns):23.6 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):100 typ.

下降时间Tf(ns):6.8 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:-60V,-45A P-沟道增强型场效应晶体管