场效应管 TK15E60U,K15E60U

地区:广东 深圳
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产品型号:TK15E60U

封装:TO-220

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):15

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.3 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):170

极间电容Ciss(PF):950

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):8.5

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):81

温度(℃): -55 ~150

描述:600V,15A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOSⅡ)

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封装外形

P-DIT/塑料双列直插

型号/规格

TK15E60U,TO-220,DIP/MOS,N场,600V,15A,0.3Ω

材料

N-FET硅N沟道

用途

S/开关

品牌/商标

Toshiba/东芝

沟道类型

N沟道

种类

绝缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型