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产品属性
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产品型号:TK15E60U
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):15
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.3 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):170
极间电容Ciss(PF):950
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):8.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):81
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,15A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOSⅡ)
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3、:4006262666
4、Q
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P-DIT/塑料双列直插
TK15E60U,TO-220,DIP/MOS,N场,600V,15A,0.3Ω
N-FET硅N沟道
S/开关
Toshiba/东芝
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型