场效应管 BSC014N03MS G,BSC014N03

产品型号:BSC014N03MSG

封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

雪崩能量EAS(mJ):50

最大漏极电流Id(A):100

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0014 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2

功率PD(W):139

极间电容Ciss(PF):10000

通道极性:N通道

低频跨导gFS(s)：140

温度(℃): -55 ~150

描述:30V,100A N-channel Power-MOSFET