场效应管 BSZ130N03MSG,130N03M
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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产品型号:BSZ130N03MS
封装:QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):9
最大漏极电流Id(A):35
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0115 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):25
极间电容Ciss(PF):970
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s):45
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,35A,OptiMOS®3 M-Series Power-MOSFET
BSZ130N03MSG,PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,35A,0.0115Ω
N-FET硅N沟道
S/开关
INFINEON/英飞凌
MOSFET N 通道,金属氧化物
绝缘栅(MOSFET)
增强型