场效应管 BSZ130N03MSG,130N03M

地区:广东 深圳
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产品型号:BSZ130N03MS

封装:QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

雪崩能量EAS(mJ):9

最大漏极电流Id(A):35

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0115 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2

功率PD(W):25

极间电容Ciss(PF):970

通道极性:N通道

低频跨导gFS(s):45

温度(℃): -55 ~150

描述:30V,35A,OptiMOS®3 M-Series Power-MOSFET

 

型号/规格

BSZ130N03MSG,PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,35A,0.0115Ω

材料

N-FET硅N沟道

用途

S/开关

品牌/商标

INFINEON/英飞凌

沟道类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

种类

绝缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型