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产品属性
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产品型号:AP85T03GP
特点:
* 低栅极电荷
* 简单的驱动器要求
* 快速开关特性
封装:TO-220
品牌:AP/富鼎
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):75
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):107
输入电容Ciss(PF):2700 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):55
导通延迟时间Td(on)(ns):11.2 typ.
上升时间Tr(ns):77 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):35 typ.
下降时间Tf(ns):67 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:AP85T03GP,30V,75A,0.006Ω N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E
专业经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等
企业网站:https://www.chinajincheng.com
企业Q
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P-DIT/塑料双列直插
AP85T03GP
N-FET硅N沟道
S/开关
AP/富鼎
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型