场效应管 AP85T03GP

地区:广东 深圳
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产品型号:AP85T03GP

特点:
 * 低栅极电荷
 * 简单的驱动器要求
 * 快速开关特性

封装:TO-220

品牌:AP/富鼎

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):75

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):107

输入电容Ciss(PF):2700 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):55

导通延迟时间Td(on)(ns):11.2 typ.

上升时间Tr(ns):77 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):35 typ.

下降时间Tf(ns):67 typ.

温度(℃): -55 ~175

描述:AP85T03GP,30V,75A,0.006Ω N-沟道增强型场效应晶体管


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专业经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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企业Q
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封装外形

P-DIT/塑料双列直插

型号/规格

AP85T03GP

材料

N-FET硅N沟道

用途

S/开关

品牌/商标

AP/富鼎

沟道类型

N沟道

种类

绝缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型