场效应管 P45N02LS P45N02LSG 45N02

产品型号:P45N02LSG

封装:SOT-263

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):45

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.028 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.5

功率PD(W):60

输入电容Ciss(PF):600 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：16

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):140

导通延迟时间Td(on)(ns):7 typ.

上升时间Tr(ns):7 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):24 typ.

下降时间Tf(ns):6 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:25V,45A N-沟道增强型场效应晶体管