场效应管 SSM3J15F,DQ

SSM3J15F,TOSHIBA,SOT-23,SMD/MOS,P场,-30V,-0.1A,12Ω

SSM3J15F,TOSHIBA,SOT-23,SMD/MOS,P场,-30V,-0.1A,12Ω，带二极静电保护

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS

应用:
 * 电源管理开关应用
 * 模拟开关应用

特点：
 * 4.0-V驱动器
 * 低导通电阻:Ron = 12Ω (max) (@VGS = -4 V)
             : Ron = 32Ω (max) (@VGS = -2.5 V)

产品型号:SSM3J15F

封装:SOT-23

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):-0.1

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):12 @VGS = -4 V

开启电压VGS(TH)(V):-1.7

功率PD(W):0.2

输入电容Ciss(PF):9.1 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(ms)：20

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):65 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):175 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM3J15F，-30V,-0.1A P-沟道增强型场效应晶体管

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