场效应管 SSM6K34TU,KNC

SSM6K34TU,TOSHIBA,SOT-323-6,SMD/MOS,N场,30V,3A,0.077Ω，带二极静电保护

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III)

应用:
 * 高电流开关应用
 * 电源管理开关应用

特点：
 * 4.5V驱动器
 * 低导通电阻：Ron = 77 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)
             ：Ron = 50 mΩ (max) (@VGS = 10 V)

产品型号:SSM6K34TU

封装:SOT-323-6

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):3

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.077 @VGS = 4.5 V

开启电压VGS(TH)(V):2.5

功率PD(W):0.5

输入电容Ciss(PF):470 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：6.8

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):8.3 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):22 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM6K34TU,30V,3A N-沟道增强型场效应晶体管

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