场效应管 MDD5N50TH MDD5N50 CMD5N50

MDD5N50TH，SOT-252，MagnaChip/美格纳，SMD/MOS，N场，500V，4.4A，1.4Ω

General Description

The MDD5N50 uses advanced Magnachip’s MOSFET Technology, which provides low on state resistance, high switching performance and excellent quality.

MDD5N50 is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications.

Features

VDS=500V ID=4.4A @VGS = 10V
RDS(ON) ≤ 1.4 @VGS = 10V

Applications

  Power Supply
PFC
Ballast

产品型号:MDD5N50
1.概述
  MDD5N50使用MagnaChip公司先进的MOSFET技术，可提供低导通电阻，高开关性能和优良的品质。
  MDD5N50是合适的设备，开关电源，HID和一般用途的应用。

2.应用
 * 电源供应器
 * PFC
 * 压载

封装:SOT-252

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):4.4

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.4 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):70

输入电容Ciss(PF):500 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：5

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):230

导通延迟时间Td(on)(ns):12 TYP.

上升时间Tr(ns):24 TYP.

关断延迟时间Td(off)(ns):24 TYP.

下降时间Tf(ns):22 TYP.

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,4.4A N-沟道增强型场效应晶体管

产品型号:CMD5N50
1.概述
  这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用了先进的技术，特别是针对已最大限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，并能承受高能量脉冲雪崩和换向模式。这些器件非常适用于高效率开关模式电源，功率因数校正和电子镇流器基于半桥。

2.应用
 * 电源供应器
 * PFC
 * 压载

封装:SOT-252

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):4.5

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):50

输入电容Ciss(PF):800 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：4.2

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):500

导通延迟时间Td(on)(ns):15 TYP.

上升时间Tr(ns):40 TYP.

关断延迟时间Td(off)(ns):85 TYP.

下降时间Tf(ns):45 TYP.

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,4.5A N-沟道增强型场效应晶体管

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