场效应管 Si7170DP-T1-GE3,Si7170,7170

Si7170DP-T1-GE3,QFN-8 5*6/PowerPAK SO-8,SMD/MOS,N场,30V,40A,0.0034Ω

产品型号:Si7170DP-T1-GE3
特点
 * 无卤素
 * TrenchFET Power MOSFET
 * 100%的Rg测试
 * 1005的雪崩测试
应用
 * 低端笔记本电脑
 * VRM POL

封装:QFN-8 5*6/PowerPAK SO-8

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):40

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0034 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.6

功率PD(W):48

输入电容Ciss(PF):4355 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：90

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):80

导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ.

上升时间Tr(ns):10 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):35 typ.

下降时间Tf(ns):8 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:30V,40A N-沟道增强型场效应晶体管