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产品属性
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产品型号:LZP80N06
Features/特点:
* Avalanche Rugged Technology/坚固的雪崩技术
* Rugged Gate Oxide Technology/坚固的门栅氧化层技术
* High di/dt Capability/高di/dt的能力
* Improved Gate Charge/改进的栅*电荷
* Wide Expanded Safe Operating Area/宽扩展*工作区
Application/应用:
* UPS
* Car Inverter/车载逆变器
* E-bike/电动自行车
* SMPS
封装:TO-220
品牌:LITEON/光宝
源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):&plu*n;20
*大漏*电流Id(A):80
源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.01 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):300
输入电容Ciss(PF):3960 t*.
通道*性:N沟道
低频跨导gFS(s):4.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):900
导通延迟时间Td(on)(ns):47 t*.
上升时间Tr(ns):185 t*.
关断延迟时间Td(off)(ns):250 t*.
下降时间Tf(ns):130 t*.
温度(℃): -55 ~175
描述:LZP80N06P,60V ,80A,0.01ΩA N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微*件有限公司
地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E
*经营:各种三*管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等
企业网站:https://www.chinajincheng.com
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
P-DIT/塑料双列直插
LZP80N06P
N-FET硅N沟道
S/开关
LITEON/光宝
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型