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2SK3399,SOT-263,SMD/MOS,N场,600V,10A,0.75Ω,带二*管保护
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS T*e (π-MOSV)
应用:
* 开关稳压器应用
特点:
* 低漏源导通电阻RDS(ON)= 0.54Ω(典型值)
* 高正向传输导纳:|YFS|= 5.2 S(典型值)
* 低漏电流IDSS= 100uA(*大值)(VDSS= 600 V)
* Enhancementmode:VTH= 3.0--5.0 V(VDS =10V,ID= 1毫安)
产品型号:2SK3399
封装:SOT-263
品牌:TOSHIBA/东芝
源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):&plu*n;30
*大漏*电流Id(A):10
源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):100
输入电容Ciss(PF):1750 t*.
通道*性:N沟道
低频跨导gFS(s):5.2
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):363
导通延迟时间Td(on)(ns):15 t*.
上升时间Tr(ns):40 t*.
关断延迟时间Td(off)(ns):8 t*.
下降时间Tf(ns):35 t*.
温度(℃): -55 ~150
描述:2SK3399,600V,10A N-沟道增强型场效应晶体管
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SMD(SO)/表面封装
2SK3399,SOT-263,SMD/MOS,N场,600V,10A,0.75Ω
N-FET硅N沟道
MAP/匹配对管
TOSHIBA/东芝
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型