场效应管 2SK3399,K3399

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2SK3399,SOT-263,SMD/MOS,N场,600V,10A,0.75Ω,带二*管保护

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS T*e (π-MOSV)
应用:
 * 开关稳压器应用

特点:
 * 低漏源导通电阻RDS(ON)= 0.54Ω(典型值)
 * 高正向传输导纳:|YFS|= 5.2 S(典型值)
 * 低漏电流IDSS= 100uA(*大值)(VDSS= 600 V)
 * Enhancementmode:VTH= 3.0--5.0 V(VDS =10V,ID= 1毫安)

产品型号:2SK3399

封装:SOT-263

品牌:TOSHIBA/东芝

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):&plu*n;30

*大漏*电流Id(A):10

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):100

输入电容Ciss(PF):1750 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s):5.2

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):363

导通延迟时间Td(on)(ns):15 t*.

上升时间Tr(ns):40 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):8 t*.

下降时间Tf(ns):35 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:2SK3399,600V,10A N-沟道增强型场效应晶体管


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封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

2SK3399,SOT-263,SMD/MOS,N场,600V,10A,0.75Ω

材料

N-FET硅N沟道

用途

MAP/匹配对管

品牌/商标

TOSHIBA/东芝

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型