场效应管 SI2310,CA2TF,SI2324DS,SI2324

产品型号:Si2310
描述
 的MOSFET利用*的*技术，以实现尽可能低的导通电阻，**和成本效益的设备。
SOT-23封装，普遍适用于*商业工业应用。

封装:SOT-23

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):60

夹断电压VGS(V):&plu*n;20

*大漏*电流Id(A):3

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.09 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2

功率PD(W):1.38

输入电容Ciss(PF):490 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：5

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):6 t*.

上升时间Tr(ns):5 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):16 t*.

下降时间Tf(ns):3 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:30V,3.6A N-沟道增强型场效应晶体管
FEATUR*
 简单的驱动要求
 小型封装
 表面贴装器件