场效应管 TK40E10K3,K40E10K3

地区:广东 深圳
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TK40E10K3,TOSHIBA,TO-220,DIP/MOS,N场,100V,40A,0.015Ω

产品型号:TK40E10K3 通用开关设备应用

封装:TO-220

品牌:TOSHIBA/东芝

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):100

夹断电压VGS(V):&plu*n;20

*大漏*电流Id(A):40

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.015 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):147

输入电容Ciss(PF):4000 t*.

通道*性:N沟道

温度(℃): -55 ~150

描述:TK40E10K3 100V,10A N-沟道增强型场效应晶体管

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封装外形

P-DIT/塑料双列直插

型号/规格

TK40E10K3,TOSHIBA,TO-220,DIP/MOS,N场,100V,40A,0.015Ω

材料

N-FET硅N沟道

用途

S/开关

品牌/商标

TOSHIBA/东芝

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型