场效应管 TK65A10N1,K65A10N1

TK65A10N1,TOSHIBA,TO-220F,DIP/MOS,N场,100V,65A,0.0048Ω

TK65A10N1,TO-220F,DIP/MOS,N场,100V,65A,0.0048Ω

产品型号:TK65A10N1

封装:TO-220F

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):100

夹断电压VGS(V):&plu*n;20

*大漏*电流Id(A):65

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0048 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):45

输入电容Ciss(PF):5700 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):143

导通延迟时间Td(on)(ns):44 t*.

上升时间Tr(ns):19 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):85 t*.

下降时间Tf(ns):25 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:TK65A10N1 100V,65A N-沟道增强型场效应晶体管

登陆我站:https://www.chinajincheng.com
企业Q
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)