场效应管 K*075N75P-U/P,K*075N75P,K*075N75

K*075N75P-U/P,TO-220,DIP/MOS,N场,75V,75A,0.017Ω

产品型号:K*075N75P-U/P
概述
这的平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速开关时间，低导通电阻，低栅*电荷和优良的雪崩特性。它主要适用于有源功率因数校正，电子镇流器基于半桥拓扑和开关式电源供应器。

特点:
 * VDSS =75V，ID =75A
 * 漏源导通电阻RDS(ON)=0.017@ VGS = 10V
 * QG（TYP.）=85nC
 * 改进的dv/dt容量，高耐用性
 * *高结温范围（175）

封装:TO-220

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):75

夹断电压VGS(V):&plu*n;20

*大漏*电流Id(A):75

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.017 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):190

输入电容Ciss(PF):3000 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：2.8

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):1350

导通延迟时间Td(on)(ns):25 t*.

上升时间Tr(ns):300 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):150 t*.

下降时间Tf(ns):180 t*.

温度(℃): -55 ~175

描述:75V,75A N-沟道增强型场效应晶体管

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