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产品属性
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产品型号:2SK2364
封装:TO-220F
源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V): 30/-30
*大漏*电流Id(A):8
源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.6 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3.5
功率PD(W):35
*间电容Ciss(PF):1600
通道*性:N沟道
低频跨导gFS(s):4
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):320
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,8A N-Channel 功率MOSFET
产品型号:2SK2543
封装:TO-220F
源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V): 30/-30
*大漏*电流Id(A):8
源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):40
*间电容Ciss(PF):1300
通道*性:N沟道
低频跨导gFS(s):7
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):312
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,8A N-Channel 功率MOSFET
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32A
2SK2364,MOS,500V,8A,0.6Ω 2SK2543,MOS,500V,8A,0.85Ω,220F
N-FET硅N沟道
NEC/日本电气
N沟道
*缘栅(MOSFET)
&plu*n;30
增强型
1600