场效应 2SK2364 K2364 2SK2543 K2543

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产品型号:2SK2364

封装:TO-220F

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V): 30/-30

*大漏*电流Id(A):8

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.6 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3.5

功率PD(W):35

*间电容Ciss(PF):1600

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s):4

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):320

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,8A N-Channel 功率MOSFET

 

产品型号:2SK2543

封装:TO-220F

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V): 30/-30

*大漏*电流Id(A):8

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):40

*间电容Ciss(PF):1300

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s):7

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):312

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,8A N-Channel 功率MOSFET


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漏*电流

32A

型号/规格

2SK2364,MOS,500V,8A,0.6Ω 2SK2543,MOS,500V,8A,0.85Ω,220F

材料

N-FET硅N沟道

品牌/商标

NEC/日本电气

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

夹断电压

&plu*n;30

导电方式

增强型

*间电容

1600