场效应管 IRFD1Z0 IRFD210 FD1Z0

产品型号:IRFD1Z0

封装:dip-4

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):100

夹断电压VGS(V):&plu*n;20

*大漏*电流Id(A):0.5

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):3.2 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):1

输入电容Ciss(PF):50 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：0.35

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):10 t*.

上升时间Tr(ns):15 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):15 t*.

下降时间Tf(ns):10 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:100V,0.5A N-沟道增强型场效应晶体管

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