场效应管 AP85U03GH-HF,60T03GH,AP73T02

地区:广东 深圳
认证:

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产品型号:AP85U03GH-HF
特点:
低导通电阻
简单的驱动要求
快速开关特性
*合RoHS及无卤素

封装:SOT-252

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):&plu*n;20

*大漏*电流Id(A):75

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0055 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):60

输入电容Ciss(PF):2910 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s):53

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):273

导通延迟时间Td(on)(ns):11 t*.

上升时间Tr(ns):87 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):36 t*.

下降时间Tf(ns):103 t*.

温度(℃): -55 ~175

描述:30V,75A N-沟道增强型场效应晶体管


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封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

AP85U03GH-HF,SOT-252,SMD/MOS,N场,30V,75A,0.0055Ω

材料

GE-N-FET锗N沟道

用途

MOS-FBM/全桥组件

品牌/商标

APEC/富鼎

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

耗尽型