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产品属性
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产品型号:AP85U03GH-HF
特点:
低导通电阻
简单的驱动要求
快速开关特性
*合RoHS及无卤素
封装:SOT-252
源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):&plu*n;20
*大漏*电流Id(A):75
源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0055 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):60
输入电容Ciss(PF):2910 t*.
通道*性:N沟道
低频跨导gFS(s):53
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):273
导通延迟时间Td(on)(ns):11 t*.
上升时间Tr(ns):87 t*.
关断延迟时间Td(off)(ns):36 t*.
下降时间Tf(ns):103 t*.
温度(℃): -55 ~175
描述:30V,75A N-沟道增强型场效应晶体管
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SMD(SO)/表面封装
AP85U03GH-HF,SOT-252,SMD/MOS,N场,30V,75A,0.0055Ω
GE-N-FET锗N沟道
MOS-FBM/全桥组件
APEC/富鼎
N沟道
*缘栅(MOSFET)
耗尽型