场效应管 AP95T07GP,95T07GP

AP95T07GP,TO-220,DIP/MOS,N场,75V,80A,0.005Ω

产品型号:AP95T07GP

封装:TO-220

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):75

夹断电压VGS(V):&plu*n;20

*大漏*电流Id(A):80

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.005 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):300

输入电容Ciss(PF):4290 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：88

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):450

导通延迟时间Td(on)(ns):22 t*.

上升时间Tr(ns):160 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):38 t*.

下降时间Tf(ns):165 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:75V,80A N-沟道增强型场效应晶体管