场效应管 AOTF12N60,AOTF12N60L,AOTF10N60

产品型号:AOTF12N60L

封装:TO-220F

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):&plu*n;30

*大漏*电流Id(A):12

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.55 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):50

输入电容Ciss(PF):1751 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：20

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):450

导通延迟时间Td(on)(ns):39 t*.

上升时间Tr(ns):70 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):122 t*.

下降时间Tf(ns):74 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:600V,12A N-沟道增强型场效应晶体管