场效应管 SPI11N60CFD 11N60CFD SPI11N60

地区:广东 深圳
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SPI11N60CFD,MOS,600V,11A,0.44Ω,262

STI13NK60Z,ST,TO-262,DIP/MOS,N场,600V,13A
SSI10N60BTU,FAIRCHILD,TO-262,DIP/MOS,N场,600V,10A
IPI60R600CP,infineon,TO-262,DIP/MOS,N场,600V,6.1A

品牌/商标

INFINEON/英飞凌

型号/规格

SPI11N60CFD,MOS,600V,11A,0.44Ω,262

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

夹断电压

30

*间电容

1200

漏*电流

11A