场效应管 MTD1N80E MTD1N80 T1N80E

产品型号:MTD1N80E

封装:SOT-252

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):800

夹断电压VGS(V): 20/-20

*大漏*电流Id(A):1

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):12 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):48

*间电容Ciss(PF):297

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：0.985

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):20

温度(℃): -55 ~150

描述:800V,1A N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate

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