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SGD06N60,252,IGBT,600V,6.9A,不带二* SGD02N60,252,600V,2.9A
INFINEON/英飞凌
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
IGBT*缘栅比*
20
5
6.9A
电力场效应晶体管
恒泰柯功率MOSFET
低压mosfet
mosfet场效应管
场效应管 FQP19N20 FQP9N25
场效应管 IRFW740A IRFW740B IRFW740
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