场效应管 FQD5N40 FQD5N40C FQD5N50

地区:广东 深圳
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FQD5N40TM,MOS,400V,3.4A

 

FQD5N50TM,MOS,500V,3.5A

 

Features
• 4.0A, 500V, RDS(on)=   1.4  ?  @VGS= 10 V
• Low gate charge ( t*ical 18nC)
• Low Crss ( t*ical 15pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
• RoHS C ompliant 

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FQD5N40TM,MOS,400V,3.4A FQD5N50TM,MOS,500V,3.5A

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

夹断电压

&plu*n;30

*间电容

460

漏*电流

3.4A,3.5A