场效应管 SSF10N90A SSF10N80A 10N90

地区:广东 深圳
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产品型号:SSF10N90A

封装:TO-*F

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):900

夹断电压VGS(V):&plu*n;30

*大漏*电流Id(A):6.5

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):1.2 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3.5

功率PD(W):100

*间电容Ciss(PF):2760

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s):5.75

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):783

温度(℃): -55 ~150

描述:900V,6.5A N-Channel 功率MOSFET


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漏*电流

6.5A

材料

N-FET硅N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

型号/规格

SSF10N90A FQAF7N90,MOS,900V SSF10N80A,MOS,800V,6.5A,*F

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

开启电压

3.5

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

用途

S/开关

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

夹断电压

30