供应场效应管 NTD80N02T4G NTD80N02G

产品型号:NTD80N02T4G

封装:SOT-252

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):24

夹断电压VGS(V):&plu*n;20

*大漏*电流Id(A):80

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0058 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):75

*间电容Ciss(PF):2250 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：20

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):733

温度(℃): -55 ~150

描述:24V,80A Silicon N-Channel Power F-MOS FET

专为低电压，*开关应用在电源适配器，转换器和功率电机控制和电桥电路。

特点
.Pb-Free包

典型应用
.电源供应器
.转换器
.功率电机控制
.桥电路

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