场效应管 ISL9N2357D3ST N2357D ISL9N2357

产品型号:ISL9N2357D3ST

封装:SOT-252/DPAK

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):&plu*n;20

*大漏*电流Id(A):35

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.007 @VGS =10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):100

*间电容Ciss(PF):5600

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

温度(℃): -55 ~175

描述:30V,35A N-Channel 功率MOSFET

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