场效应管 STP40NF03 L,P40NF03L

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STP120NF10摩洛哥,TO-220,ST,DIP/MOS,100V.120A
STP40NF12 ,TO-220,ST,DIP/MOS,120V.40A
STP40NF12,TO-220,ST,DIP/MOS,120V.40A
STP40NF03L,TO-220,ST,DIP/MOS,30V.40A
STP80NF03L,TO-220,ST,DIP/MOS,30V.80A
STP45NF03L,TO-220,ST,DIP/MOS,30V.45A
STP22NF03L,TO-220,ST,DIP/MOS,30V.
STP60NF03,TO-220,ST,DIP/MOS,30V.60A
STP8NC50中国,TO-220,ST,DIP/MOS,500V.8A
STP4NC60中国,TO-220,ST,DIP/MOS,600V.4A
STP4NK60Z中国,TO-220,ST,DIP/MOS,600V.4A
STP2NC60中国,TO-220,ST,DIP/MOS,600V.2A
STP2NC60摩洛哥,TO-220,ST,DIP/MOS,600V.2A
STP80NF06,TO-220,ST,DIP/MOS,60V.80A
STP65NF06中国,TO-220,ST,DIP/MOS,60V.65A
STP55NF06中国,TO-220,ST,DIP/MOS,60V.50A
STP60NF06,TO-220,ST,DIP/MOS,60V.60A
STP55NF06菲律宾,TO-220,ST,DIP/MOS,60V.55A
STP60NF06菲律宾,TO-220,ST,DIP/MOS,60V.60A
STP75NF75摩洛哥,TO-220,ST,DIP/MOS,75V.75A
MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源 
(DIP)场效应: 30V-80V:FDP6676、FDU6680、IRLU3103、IRLU7821、ISL9N312AD3、STP55NF06、STP60NF06、

STP65NF06、...等 
(DIP)场效应:100V-400V:IRFB4310 2SK1101=2SK2952、FDP3652、FS20KM-5、IRF630、IRFS640B。IRLI3615。

STP11*40ZFP 
               IRFIB7N50APBF、STP19*20FP 
(DIP)场效应:500V-900V:2SK1010、2SK2101、2SK3505、2SK3683、FS3KM-18A、IRFS830B、SPA06N80C3\...等 
(SMD)场效应:30V-80V:AP60N03、BUK109-50DL、FDD6030BL、FDB8870、FDD8896、IPD06N03LAG、 
 IPD09N03LAG\NTD60N02\NTD70N03、NTD85N02R、PFD3002、PFD3008、
 PFD3010、PFD3014、PFS3000、PFS3010...等
(SMD)场效应:100V-400V:FR220、IRFR15N20、FQD13N10、IRFL110、IRFW740ATM、NTD12N10T4G、SI9420DY等 
(SMD)场效应:500V-900V:AP01N60H、FQD*50、IRR430B、MTB6N60ET4、MTD1N60ET4等


公司简介:
深圳市金城微*件有限公司是一家*经营半导体电子元件公司,是深圳电子商会常务理事单位.公司拥有一批经验

丰富,技术力量雄厚的*技术人才,并有大量库存现货,能为不同的客戶提供各种配套服务.

    现经销国内外多家名厂产品,*经营各种三*管、场效应管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、

DIP/SMD系列,主要应用于开关电源(如:充电器、逆变转换DC -AC、转向灯、*灯等)电脑板卡(*小内阻、小体积

大体积各种各样场效应管、低压差稳压)、玩具遥控飞机、遥控船等.低压差稳压,为你延长电池使用时间,场效应为

你解决压降温升等等问题.

    我们将一如既往以“*、*格、*的技术和*的服务”为宗旨,为广大厂商提供更优良的服务.
    在新世纪,成功更依靠电子科技和信息.深圳市金城微*件有限公司以“创优势,求发展”的概念,诚意欢迎各位

同行、有志之仕加入合作,本着互助互利的目标共*优势.

      
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品牌/商标

ST/意法

型号/规格

STP40NF03L STD40NF03,

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

2.5(V)

夹断电压

&plu*n; 20(V)

低频跨导

20S(μS)

*间电容

830(pF)

漏*电流

40A(mA)

耗散功率

70W(mW)