场效应管 AP9971GH,9971GH,AP9971AGH

AP9971GH,SOT-252,SMD/MOS,N场,60V,25A,0.036Ω

产品型号:AP9971GH
特点：
 * 简单的驱动要求
 * 低导通电阻
 * 表面贴装封装

封装:SOT-252

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):60

夹断电压VGS(V):&plu*n;20

*大漏*电流Id(A):25

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.036 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):39

输入电容Ciss(PF):1700 t*.

通道*性:P沟道

低频跨导gFS(s)：17

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):9 t*.

上升时间Tr(ns):24 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):26 t*.

下降时间Tf(ns):7 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:60V,25A N-沟道增强型场效应晶体管

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