场效应管 TK11A60D,K11A60D,TK11A60

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MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
TK80E06K3,TO-220,TOSHIBA,09NPB,DIP/MOS,60V,80A,0.0085Ω
TK80E08K3,TO-220,TOSHIBA,09NPB,DIP/MOS,75V,80A,0.009Ω
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品牌/商标

TOSHIBA/东芝

型号/规格

K7A50D,TK11A60D

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

4(V)

夹断电压

30(V)

跨导

6S(μS)

*间电容

1550(pF)

漏*电流

11A(mA)

耗散功率

45W(mW)