代理KIA场效应管 KIA16N50HF,KIA16N50

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产品型号:KIA16N50HF

封装:TO-220F

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V): 30/-30

*大漏*电流Id(A):11.3

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.32 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):110

*间电容Ciss(PF):2300

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s):

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):980

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,11.3A  N-Channel MOSFET

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3、:4006262666
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漏*电流

16A

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

型号/规格

KIA16N50HF,MOS,500V,16A,220F

材料

N-FET硅N沟道

品牌/商标

INFINEON/英飞凌

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

夹断电压

30

导电方式

增强型

*间电容

1600 , 2400