场效应管 PHX7NQ60E PHX7NQ60

地区:广东 深圳
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产品型号:PHX7NQ60E

封装:TO-220F

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):&plu*n;30

*大漏*电流Id(A):7

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):1.2 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):37

输入电容Ciss(PF):1130 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s):10.5

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):316

导通延迟时间Td(on)(ns):17 t*.

上升时间Tr(ns):20 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):40 t*.

下降时间Tf(ns):20 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:600V,7A N-沟道增强型场效应晶体管

产品特点:
 *快速的开关
 塑料封装
 低内阻

应用范围:
 DC到DC转换器
 交换式电源供应
 电子镇流器
 T.V.和电脑显示器的电源。

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3、:4006262666
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漏*电流

7A

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

型号/规格

PHX7NQ60E,MOS,600V,7A,1.2Ω,220F

材料

N-FET硅N沟道

品牌/商标

PHILIPS/飞利浦

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

夹断电压

30

导电方式

增强型

*间电容

1130